新田州吾 特任准教授
(名古屋大学未来材料・システム研究所 天野研究室)

NITTA Shugo, Designated Associate Professor (AMANO Lab. Institute of Materials and Systems for Sustainability, Nagoya University)

新田州吾先生は、青色LEDの材料である窒化ガリウム(GaN)の次なる挑戦として、次世代パワー半導体としてのGaNデバイスが実現する未来社会の創造に向け、研究を進めています。そのためには、GaNのきれいな結晶作りのための技術開発が伴うのです。

Dr. Shugo NITTA has been conducting research, as the next challenge for gallium nitride (GaN), a material for blue LEDs, toward a future society in which GaN devices as next-generation power semiconductors will be realized. This accompanies the technological development in producing high quality GaN crystals.

天野研究室ウェブサイト https://www.semicond.nuee.nagoya-u.ac.jp/research.html

NITTA Shugo, Designated Associate Professor #1

NITTA Shugo, Designated Associate Professor #2

NITTA Shugo, Designated Associate Professor #3

GaN結晶成長 MOVPE法 動画 

MOVPE法は、デバイス構造の薄膜を作製するために使われる方法です。一方で、より高品質で均一なGaN結晶を得るため、これまでブラックボックス化していた気相および結晶表面反応メカニズムを明らかにすべく、研究が行われています。
MOVPE (Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy) is widely used to fabricate device applications. In order to improve their quality and uniformity by means of GaN MOVPE growth, the reaction process on crystal surfaces in the vapor phase has been studied.

https://youtu.be/g3db30gHRh8